世芯笔试题

发信人:cobbee(笑笑),信区:job标题:世芯笔试题发信站:饮水思源(2005年11月18日23:25:06星期五),站内信件试卷全英文，大概记得一些1、CMOS工艺特征尺寸减小时，性能如何变化2、CMOS工艺特征尺寸减小时，功耗减少对吗？3、CMOS门在standby模式下有无功耗？4、温度升高时，性能如何变化？5、SOC设计时用不用考虑工艺参数？1、CMOS反相器，n管和p管同宽长比，问门限电压低于或高于1/2VDD？为什么？2、一真值表逻辑用或门和反相器实现3、2分频电路原理图4、n型半导体多子和少子分别是什么？5、NMOS管结构和功能描述6、低通滤波器7、所用过的EDA工具8、综合的约束9、两段代码，考察阻塞性赋值和非阻塞性赋值区别10、扫描链测试中的跨时钟问题--※来源:?饮水思源bbs.sjtu.edu.cn?[FROM:211.80.50.80]